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The Mechanism Analysis of HgCdTe pn JunctionFormed by Ion Beam Milling
根据由离子束刻蚀HgCdTe pn结C-V曲线,判定其为线性缓变结;由1C3-V曲线斜率可知杂质浓度分布梯度。利用泊松方程(零偏压时耗尽层宽......
期刊
HgCdTe
离子束刻蚀
泊松方程
Hg源扩散
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ion beam milling
poisson′s equation
diffusion of
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